封裝/外殼：PQFN 3.3X3.3 8L
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：標準
漏源電壓（Vdss）：100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：2.3A
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：195 毫歐 @ 2.9A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 10μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：6.3nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：251pF @ 25V
功率 - 最大值：2.3W
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
系列：HEXFET?
FET類型：2 個 N 溝道（雙）
FET功能：標準
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：195 毫歐 @ 2.9A，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：4V @ 10μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：6.3nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：251pF @ 25V
功率-最大值：2.3W
封裝形式Package：PQFN
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：100V
連續(xù)漏極電流ID：2.3A
供應商器件封裝：8-PQFN（3.3x3.3），Power33
無鉛情況/RoHs：否