產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：Discrete Power MOSFETs 40V and Below
特色產(chǎn)品：FastIRFET Power MOSFET
標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：帶卷（TR）
FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓（Vdss）：25V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：28A（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：2.2 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 50µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：32nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：2000pF @ 13V
功率 - 最大值：2.7W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：8-TQFN 裸露焊盤(pán)
供應(yīng)商器件封裝：*
其它名稱(chēng)：IRFHM4226TRPBFTR