設(shè)計(jì)資源：IRFHM792TR2PBF Saber Model IRFHM792TR2PBF Spice Model
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 陣列
系列：HEXFET®
包裝：剪切帶（CT）
FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）：100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：2.3A
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：195 毫歐 @ 2.9A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 10µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：6.3nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：251pF @ 25V
功率 - 最大值：2.3W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝：8-PQFN（3.3x3.3），Power33
其它名稱：IRFHM792TR2PBFCT