設(shè)計資源：IRFHM8363TR2PBF Saber Model IRFHM8363TR2PBF Spice Model
標(biāo)準包裝：1
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 陣列
系列：HEXFET®
包裝：剪切帶（CT）
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：11A
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：14.9 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.35V @ 25µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：15nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：1165pF @ 10V
功率 - 最大值：2.7W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝：8-PQFN（3.3x3.3），Power33
其它名稱：IRFHM8363TR2PBFCT