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IRFG5210
規(guī)格信息：

封裝/外殼：MO-036AB

Technology：Hi-Rel DISCRETE

Circuit：Dual

Polarity：2N / 2P

Base Part Status：Active

BVDSS：200

RoHS：No

ID @ 25C P-Channel (A)：-0.68

Power Dissipation (W)：1.4

Halogen-Free：Yes

ID @ 100C N-Channel (A)：0.4

ID @ 100C P-Channel (A)：-0.4

RDS(on) @ 25C / P-channel (Ohms)：1.6

ID @ 25C N-Channel (A)：0.68

無鉛情況/RoHs：否

介紹圖IRFG5210
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
IRFG5210200V, Combination 2N-2P-CHANNEL HEXFET MOSFET TECHNOLOGY IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO-天天IC網(wǎng)191.63 Kbytes共12頁IRFG5210的PDF文件地址IRFZ34VPBF,IRLZ4S,IRFC240,IRF3704ZCSPBF,IRFB4321PBF,IRFP150VPBF,IRL1004SPBF,IRF730ASPBF,IRF7832ZPBF,IRL2505SPBF IRFG5210的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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