FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：5.7A（Ta），25A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4.9V @ 50μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：20nC
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：890pF
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：25V
功率耗散（最大值）：3W（Ta），42W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：35 毫歐 @ 5.7A，10V
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET? SJ
封裝/外殼：MG-WDSON-5
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs