產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below
設(shè)計資源：IRF6629TR1PBF Saber Model IRF6629TR1PBF Spice Model
標準包裝：4,800
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：25V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：29A（Ta），180A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：2.1 毫歐 @ 29A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.35V @ 100µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：51nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：4260pF @ 13V
功率 - 最大值：2.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX
供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET? MX
配用：IRDC3622D-ND - BOARD EVAL W/IR3622MPBF DUAL OUTIRDC3622S-ND - BOARD EVALUATION W/IR3622MPBF
其它名稱：IRF6629TRPBFTR