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產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：Discrete Power MOSFETs 40V and Below

設(shè)計(jì)資源：IRF6618 Saber Model IRF6618 Spice Model

標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,800

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭：FET - 單

系列：HEXFET®

包裝：帶卷（TR）

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓（Vdss）：30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：30A（Ta），170A（Tc）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：2.2 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.35V @ 250µA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：65nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：5640pF @ 15V

功率 - 最大值：2.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：DirectFET? 等容 MT

供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET? MT

其它名稱：IRF6618TR