產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：Discrete Power MOSFETs 40V and Below
設(shè)計資源：IRF6604 Saber Model IRF6604 Spice Model
標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,800
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：12A（Ta），49A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：11.5 毫歐 @ 12A，7V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：26nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：2270pF @ 15V
功率 - 最大值：2.3W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：DirectFET? 等容 MQ
供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET? MQ
其它名稱：IRF6604TR