產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：Discrete Power MOSFETs 40V and Below
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：剪切帶（CT）
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）：20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：26A（Ta），85A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：3.8 毫歐 @ 26A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：45nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：3440pF @ 15V
功率 - 最大值：3.6W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：DirectFET? 等容 MT
供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET? MT
其它名稱：IRF6601CT