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IRF644N PDF文件_規(guī)格信息

IRF644N
規(guī)格信息：

FET 類型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：250V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：14A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：54nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1060pF @ 25V

功率耗散（最大值）：150W（Tc）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：240 毫歐 @ 8.4A，10V

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB

封裝/外殼：TO-220-3

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IRF644N

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
IRF644N	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A)	IRF[International Rectifier]	123.93 Kbytes	共11頁	SHD224701,JANTX2N6756,SHD225701,JANTX2N6768,SHD244702,SBF50P10-023L,IRFN350,NTB125N02R,IRFP354,TPD7202F	產(chǎn)品購買
IRF644N	Power MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]	171.5 Kbytes	共8頁	RJK6014DPP,53272,AP85U03GMT,2SJ314-01L,IRFBA1404PPBF,IRHY7G30CMSE,IRF7822PBF,STD20NF20,BLV1N60A,STB55NF06_06	產(chǎn)品購買
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IRF644NL	HEXFET?? Power MOSFET	IRF[International Rectifier]	280.08 Kbytes	共12頁	IRFBA1405PPBF,IRFPG30PBF,IR710PBF,IRLD024PBF,IRF1407SPBF,IRLL024ZPBF,IRFB9N30APBF,IRLR3410PBF,IRFI740GLCPBF,IRF1405_04	產(chǎn)品購買
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IRF644NPBF	HEXFET?? Power MOSFET	IRF[International Rectifier]	280.08 Kbytes	共12頁	IRFBA1405PPBF,IRFPG30PBF,IR710PBF,IRLD024PBF,IRF1407SPBF,IRLL024ZPBF,IRFB9N30APBF,IRLR3410PBF,IRFI740GLCPBF,IRF1405_04	產(chǎn)品購買
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IRF644NSTRR	Power MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]	171.5 Kbytes	共8頁	RJK6014DPP,53272,AP85U03GMT,2SJ314-01L,IRFBA1404PPBF,IRHY7G30CMSE,IRF7822PBF,STD20NF20,BLV1N60A,STB55NF06_06	產(chǎn)品購買
IRF644NSTRRPBF	Power MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]	171.5 Kbytes	共8頁	RJK6014DPP,53272,AP85U03GMT,2SJ314-01L,IRFBA1404PPBF,IRHY7G30CMSE,IRF7822PBF,STD20NF20,BLV1N60A,STB55NF06_06	產(chǎn)品購買

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