FET類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：18A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：70nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1300pF @ 25V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：125W（Tc）
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：180 毫歐 @ 11A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220AB
封裝形式Package：TO-220-3
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：200V
連續(xù)漏極電流ID：18A
漏源極導(dǎo)通電阻RDS(ON)：180mOhms
Id-連續(xù)漏極電流：3.3A
Pd-功率耗散：36W
Qg-柵極電荷：8.2nC
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：1.5Ohms
Vds-漏源極擊穿電壓：200V
Vgs - 柵極-源極電壓：10V
Vgs th-柵源極閾值電壓：2V
上升時(shí)間：17ns
下降時(shí)間：8.9ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：14ns
典型接通延遲時(shí)間：8.2ns
安裝風(fēng)格：ThroughHole
寬度：4.7mm
封裝/外殼：TO-220AB-3
晶體管極性：N-Channel
晶體管類型：1N-Channel
最大工作溫度：+150C
最小工作溫度：-55C
正向跨導(dǎo) - 最小值：0.8S
系列：IRF
通道數(shù)量：1Channel
通道模式：Enhancement
配置：Single
長度：10.41mm
高度：15.49mm
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs