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IRF634NSTRRPBF
規(guī)格信息：

產(chǎn)品種類(lèi)MOSFET

晶體管極性N-Channel

汲極/源極擊穿電壓250 V

閘/源擊穿電壓+/- 20 V

漏極連續(xù)電流8 A

電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）0.435 Ohms

配置Single

最大工作溫度+ 175 C

安裝風(fēng)格SMD/SMT

封裝 / 箱體D2PAK

封裝Reel

下降時(shí)間15 ns

最小工作溫度- 55 C

功率耗散3.8 W

上升時(shí)間16 ns

工廠包裝數(shù)量800

典型關(guān)閉延遲時(shí)間28 ns

介紹圖IRF634NSTRRPBF
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRF634NSTRRPBFPower MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO-天天IC網(wǎng)162.91 Kbytes共8頁(yè)IRF634NSTRRPBF的PDF文件地址RJK6014DPP,53272,AP85U03GMT,2SJ314-01L,IRFBA1404PPBF,IRHY7G30CMSE,IRF7822PBF,STD20NF20,BLV1N60A,STB55NF06_06 IRF634NSTRRPBF的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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購(gòu)買(mǎi)、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢價(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
詢價(jià)型號(hào)*數(shù)量*批號(hào)封裝品牌其它要求
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