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FET類型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：9A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id時的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA

不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：43nC @ 10V

不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：800pF @ 25V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：74W（Tc）

不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：400 毫歐 @ 5.4A，10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220AB

封裝形式Package：TO-220-3

極性Polarity：N-CH

漏源極擊穿電壓VDSS：200V

連續(xù)漏極電流ID：9A

漏源極導通電阻RDS(ON)：400mOhms

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs