其它有關(guān)文件：IRF630FP View All Specifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：MESH OVERLAY? II
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：9A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：400 毫歐 @ 4.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：45nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：700pF @ 25V
功率 - 最大值：30W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3 整包
供應(yīng)商器件封裝：TO-220FP
其它名稱：497-12489-5IRF630FP-ND