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典型關斷延遲時間14 ns

典型接通延遲時間12 ns

典型柵極電荷@Vgs6 常閉 V @ 10

典型輸入電容值@Vds150 pF V @ 25

安裝類型表面貼裝

寬度4mm

封裝類型SOIC

尺寸5 x 4 x 1.5mm

引腳數(shù)目8

最低工作溫度-55 °C

最大功率耗散2.5 W

最大柵源電壓±20 V

最大漏源電壓150 V

最大漏源電阻值2.4

最大連續(xù)漏極電流0.7 A

最高工作溫度+150 °C

每片芯片元件數(shù)目1

類別功率 MOSFET

通道模式增強

通道類型P

配置四漏極、單、三源

長度5mm

高度1.5mm