封裝/外殼：SO8
FET 類型：P 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：150V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：2.2A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：240 毫歐 @ 1.3A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：49nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1280pF @ 25V
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
系列：HEXFET?
FET類型：P 溝道
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：2.2A（Ta）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：49nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1280pF @ 25V
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：240 毫歐 @ 1.3A，10V
封裝形式Package：SOIC
極性Polarity：P-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：150V
連續(xù)漏極電流ID：2.2A
供應商器件封裝：8-SO
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs