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IRF624
規(guī)格信息:

FET 類型:N 溝道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):250V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.4A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):14nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):260pF @ 25V

功率耗散(最大值):50W(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.1 歐姆 @ 2.6A,10V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB

封裝/外殼:TO-220-3

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖IRF624
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
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IRF624STRRMOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAKVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO-天天IC網(wǎng)212.39 Kbytes共9頁IRF624STRR的PDF文件地址 IRF624STRR的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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