制造商:Vishay
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:否
商標(biāo):Vishay Semiconductors
Id-連續(xù)漏極電流:8.1 A
Vds-漏源極擊穿電壓:250 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:450 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:74 W
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
封裝:Tube
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時(shí)間:19 ns
最小工作溫度:- 55 C
上升時(shí)間:21 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:42 ns
典型接通延遲時(shí)間:9.6 ns