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典型關(guān)斷延遲時間12 ns

典型接通延遲時間9.7 ns

典型柵極電荷@Vgs11 nC V @ 4.5

典型輸入電容值@Vds1250 pF V @ 10

安裝類型表面貼裝

寬度5.05mm

封裝類型DirectFET MP

尺寸5.45 x 5.05 x 0.6mm

引腳數(shù)目7

最低工作溫度-40 °C

最大功率耗散2300 mW

最大柵源電壓±20 V

最大漏源電壓20 V

最大漏源電阻值0.006

最大連續(xù)漏極電流16 A

最高工作溫度+150 °C

每片芯片元件數(shù)目1

類別功率 MOSFET

通道模式增強(qiáng)

通道類型N

配置雙源、四漏極、單

長度5.45mm

高度0.6mm