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FET 類型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：10.3A（Ta），60A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4.8V @ 150μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：47nC

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：2210pF

電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：25V

功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），89W（Tc）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：13 毫歐 @ 10.3A，10V

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET? MN

封裝/外殼：MG-WDSON-5

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs