制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:40 V
Id-連續(xù)漏極電流:100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:9 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:62 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:170 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Tube
高度:15.65 mm
長度:10 mm
晶體管類型:1 N-Channel
類型:Preliminary
寬度:4.4 mm
商標(biāo):Infineon / IR
下降時間:19 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:114 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:28 ns
典型接通延遲時間:15 ns
零件號別名:SP001570050
單位重量:6 g
IRF1104PBF
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF1104PBF | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 0.009?? , ID = 100A ) | IRF[International Rectifier] | 190.33 Kbytes | 共9頁 | IRFD224PBF,IRL640PBF,IRLZ34NSPBF,IRF7342PBF,IRFZ24NPBF,IRF7905PBF,IRL3705NSPBF,IRF4905SPBF,IRF3000PBF | 產(chǎn)品購買 |
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