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IPW60R060C7
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO247-3

Packing Type：TUBE

Moisture Level：NA

RDS (on) max：60.0m?

IDpuls max：135.0A

VDS max：600.0V

ID max：35.0A

Package：TO-247

Rth：0.77K/W

QG：68.0nC

Budgetary Price ?€/1k：4.41

Ptot max：162.0W

Polarity：N

Pin Count：3.0Pins

Operating Temperature min max：-55.0°C 150.0°C

RthJA max：62.0K/W

Mounting：THT

VGS(th) min max：3.0V 4.0V

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖IPW60R060C7
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
IPW60R060C7Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)1381.96 Kbytes共15頁IPW60R060C7的PDF文件地址 IPW60R060C7的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPW60R060C7N-Channel MOSFET Transistor ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO-天天IC網(wǎng)335.75 Kbytes共2頁IPW60R060C7的PDF文件地址 IPW60R060C7的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPW60R060C7XKSA1MOSFET HIGH POWER_NEWInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.53 Mbytes共15頁IPW60R060C7XKSA1的PDF文件地址 IPW60R060C7XKSA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPW60R060C7XKSA1MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.35 Mbytes共15頁IPW60R060C7XKSA1的PDF文件地址 IPW60R060C7XKSA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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