好看的小说君子以泽,天蚕土豆

IPW60R037P7
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO247-3

Packing Type：TUBE

Moisture Level：NA

RDS (on) max：37.0m?

IDpuls max：280.0A

VDS max：600.0V

ID max：76.0A

Package：TO-247

Rth：0.49K/W

QG：121.0nC

Budgetary Price ?€/1k：4.63

Ptot max：255.0W

Polarity：N

Qgd：37.0nC

Pin Count：3.0Pins

Operating Temperature min max：-55.0°C 150.0°C

RthJA max：62.0K/W

Mounting：THT

RthJC max：0.49K/W

VGS(th) min max：3.0V 4.0V

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IPW60R037P7

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPW60R037P7	600V CoolMOS?a P7 Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1255.88 Kbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPW60R037P7XKSA1	MOSFET	Infineon Technologies	1.29 Mbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPW60R037P7XKSA1	MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3	Infineon Technologies	1.35 Mbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPW60R037P7XKSA1	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：76A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：650V 柵源極閾值電壓：4V @ 1.48mA 漏源導(dǎo)通電阻：37mΩ @ 29.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：255W(Tc) 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	1.35 Mbytes	共14頁	產(chǎn)品購買