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IPW60R040C7
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO247-3

安裝風(fēng)格：ThroughHole

高度：21.1mm

長度：16.13mm

寬度：5.21mm

Packing Type：TUBE

Moisture Level：NA

RDS (on) max：40.0m?

IDpuls max：211.0A

VDS max：600.0V

ID max：50.0A

Package：TO-247

Rth：0.55K/W

QG：107.0nC

Budgetary Price ?€/1k：7.41

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：227.0W

Polarity：N

Pin Count：3.0Pins

RthJA max：62.0K/W

Mounting：THT

VGS(th) min max：3.0V 4.0V

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IPW60R040C7

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPW60R040C7	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1606.15 Kbytes	共15頁	產(chǎn)品購買
IPW60R040C7	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	335.55 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPW60R040C7_15	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1606.15 Kbytes	共15頁	產(chǎn)品購買
IPW60R040C7XKSA1	MOSFET HIGH POWER_NEW	Infineon Technologies	1.51 Mbytes	共15頁	產(chǎn)品購買
IPW60R040C7XKSA1	MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3	Infineon Technologies	1.57 Mbytes	共15頁	產(chǎn)品購買