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IPSA70R1K4P7S
規(guī)格信息:

封裝/外殼:PG-TO251-3

Packing Type:TUBE

ID max:4.0 A

RthJC max:5.5 K/W

QG (typ @10V):4.7 nC

Package:IPAK SL ISO-Standoff

Operating Temperature min max:-40.0 °C 150.0 °C

Budgetary Price ?€/1k:0.15

Ptot max:22.7 W

Polarity:N

Qgd:1.7 nC

IDpuls max:8.2 A

VDS max:700.0 V

RDS (on) (@10V) max:1400.0 m?

Pin Count:3.0 Pins

VGS(th) min max:2.5 V 3.5 V

Mounting:THT

Coss:3.0 pF

Ciss:158.0 pF

RthJA max:62.0 K/W

Special Features:price/performance

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖IPSA70R1K4P7S
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IPSA70R1K4P7SAKMA1MOSFET CONSUMERInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.11 Mbytes共13頁IPSA70R1K4P7SAKMA1的PDF文件地址 IPSA70R1K4P7SAKMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPSA70R1K4P7SAKMA1MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)871.86 Kbytes共13頁IPSA70R1K4P7SAKMA1的PDF文件地址 IPSA70R1K4P7SAKMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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