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封裝/外殼：PG-TO262-3

RoHS：Y

技術：Si

安裝風格：ThroughHole

通道數(shù)量：1Channel

晶體管極性：N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：60V

Id-連續(xù)漏極電流：80A

Rds On-漏源導通電阻：7.1mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓：4V

Vgs - 柵極-源極電壓：20V

Qg-柵極電荷：43nC

最小工作溫度：-55C

最大工作溫度：+175C

配置：Single

Pd-功率耗散：79W

通道模式：Enhancement

封裝：Tube

高度：9.45mm

長度：10.2mm

系列：OptiMOS-T2

晶體管類型：1N-Channel

寬度：4.5mm

下降時間：5ns

MXHTS：85412999

上升時間：3ns

典型關閉延遲時間：23ns

典型接通延遲時間：15ns

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs