數(shù)據(jù)列表:IPx80N04S3-H4
標準包裝:500
類別:分立半導體產(chǎn)品
家庭:FET - 單
系列:OptiMOS??
包裝:管件
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標準
漏源極電壓(Vdss):40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc)
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.8 毫歐 @ 80A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 65µA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):60nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3900pF @ 25V
功率 - 最大值:115W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
供應商器件封裝:PG-TO262-3
其它名稱:IPI80N04S3H4AKSA1SP000415630
IPI80N04S3-H4
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| IPI80N04S3-H4 | OptiMOS-T Power-Transistor | INFINEON[Infineon Technologies AG] | 174.85 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 |
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