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制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-262-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Id-連續(xù)漏極電流:70 A

Rds On-漏源導通電阻:11.3 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:125 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

資格:AEC-Q101

商標名:OptiMOS

封裝:Tube

高度:9.45 mm

長度:10.2 mm

系列:OptiMOS-T

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:4.5 mm

商標:Infineon Technologies

下降時間:8 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:8 ns

工廠包裝數(shù)量:500

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:25 ns

典型接通延遲時間:17 ns

零件號別名:IPI70N10S312AKSA1 IPI7N1S312XK SP000407124

單位重量:2.084 g