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IPI70N12S3-11
規(guī)格信息:

封裝/外殼:PG-TO262-3

Packing Type:TUBE

Moisture Level:NA

RDS (on) max:11.6m?

IDpuls max:280.0A

VDS max:120.0V

ID max:70.0A

Budgetary Price ?€/1k:0.63

Ptot max:125.0W

RthJC max:1.2K/W

VGS(th) min max:2.0V 4.0V

QG (typical):51.0nC

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖IPI70N12S3-11
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
IPI70N12S3-11OptiMOS??-T Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)410.83 Kbytes共9頁IPI70N12S3-11的PDF文件地址 IPI70N12S3-11的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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詢價(jià)型號*數(shù)量*批號封裝品牌其它要求
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