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IPI110N20N3G
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

Id-連續(xù)漏極電流:88 A

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:10.7 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

Qg-柵極電荷:65 nC

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:I2PAK-3

封裝:Tube

商標(biāo):Infineon Technologies

配置:Single

下降時間:11 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:26 ns

系列:OptiMOS 3

工廠包裝數(shù)量:500

商標(biāo)名:OptiMOS

典型關(guān)閉延遲時間:41 nS

零件號別名:IPI110N20N3GAKSA1 IPI110N20N3GXK SP000714304

IPI110N20N3G

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPI110N20N3G	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)	INFINEON[Infineon Technologies AG]	452.77 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
IPI110N20N3G	OptiMOS 3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	739.46 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
IPI110N20N3G	OptiMOSTM3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	696.05 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
IPI110N20N3GAKSA1	MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3	Infineon Technologies	690.41 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
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