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IPI05CNE8NG
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產品種類:MOSFET

RoHS:是

商標:Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:100 A

Vds-漏源極擊穿電壓:85 V

Rds On-漏源導通電阻:5.4 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵? 00006000 ??極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:I2PAK-3

封裝:Tube

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:21 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:42 ns

工廠包裝數量:500

典型關閉延遲時間:64 ns

典型接通延遲時間:28 ns

零件號別名:IPI05CNE8NGXK

介紹圖IPI05CNE8NG
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
IPI05CNE8NGOptiMOS??2 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網464.32 Kbytes共11頁IPI05CNE8NG的PDF文件地址IPB05N03LB,IPD09N03LAG,IPP08CNE8N,IPUH6N03LB,BSC020N025SG,IPB06N03LAG,IPD09N03LBG,IPP10N03LB,BSC024N025S,IPB06N03LB IPI05CNE8NG的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
IPI05CNE8NGOptiMOSa?￠2 Power-Transistor Features N-channel, normal level 175 ?°C operating temperature INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網503.59 Kbytes共11頁IPI05CNE8NG的PDF文件地址 IPI05CNE8NG的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
IPI05CNE8NG相關型號規(guī)格信息
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