制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
Id-連續(xù)漏極電流:120 A
Vds-漏源極擊穿電壓:120 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3.8 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
Qg-柵極電荷:158 nC
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:300 W
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:I2PAK-3
封裝:Tube
商標(biāo):Infineon Technologies
配置:Single
下降時(shí)間:21 ns
最小工作溫度:- 55 C
上升時(shí)間:52 ns
系列:OptiMOS 3
工廠包裝數(shù)量:500
商標(biāo)名:OptiMOS
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:70 nS
零件號(hào)別名:IPI041N12N3GAKSA1 IPI041N12N3GXK SP000652748