制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TDSON-8
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Id-連續(xù)漏極電流:20 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:20 mOhms, 20 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.1 V
Vgs - 柵極-源極電壓:16 V
Qg-柵極電荷:27 nC, 27 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:60 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
資格:AEC-Q101
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:1.27 mm
長度:5.9 mm
系列:XPG20N10
晶體管類型:2 N-Channel
寬度:5.15 mm
商標(biāo):Infineon Technologies
下降時間:18 ns, 18 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:3 ns, 3 ns
工廠包裝數(shù)量:5000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:30 ns, 30 ns
典型接通延遲時間:5 ns, 5ns
零件號別名:IPG20N10S4L22ATMA1 IPG2N1S4L22XT SP000866570