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IPI045N10N3G
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產品種類:MOSFET

RoHS:是

Id-連續(xù)漏極電流:100 A

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Rds On-漏源導通電阻:4.5 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:214 W

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:I2PAK-3

封裝:Tube

商標:Infineon Technologies

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:14 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:59 ns

系列:OptiMOS 3

工廠包裝數(shù)量:500

商標名:OptiMOS

典型關閉延遲時間:48 ns

典型接通延遲時間:27 ns

零件號別名:IPI045N10N3GXK IPI045N10N3GXKSA1 SP000683068

介紹圖IPI045N10N3G
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
IPI045N10N3GOptiMOSa?￠3 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)350.45 Kbytes共11頁IPI045N10N3G的PDF文件地址 IPI045N10N3G的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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IPI045N10N3GXKSA1MOSFET N-Ch 100V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.58 Mbytes共10頁IPI045N10N3GXKSA1的PDF文件地址 IPI045N10N3GXKSA1的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
IPI045N10N3GXKSA1MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.32 Mbytes共10頁IPI045N10N3GXKSA1的PDF文件地址 IPI045N10N3GXKSA1的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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