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IPI086N10N3G
規(guī)格信息:

制造商:Infineon

產(chǎn)品種 1000 類:MOSFET

RoHS:

Id-連續(xù)漏極電流:80 A

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:8.2 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:125 W

封裝 / 箱? 1000 ??:TO-262-3

封裝:Tube

商標:Infineon Technologies

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:8 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:42 ns

系列:OptiMOS 3

工廠包裝數(shù)量:500

商標名:OptiMOS

典型關(guān)閉延遲時間:31 ns

典型接通延遲時間:18 ns18 ns

零件號別名:IPI086N10N3GXK IPI086N10N3GXKSA1 SP000683070

介紹圖IPI086N10N3G
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
IPI086N10N3GOptiMOSa?¢3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)480.83 Kbytes共12頁IPI086N10N3G的PDF文件地址 IPI086N10N3G的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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IPI086N10N3GXKSA1MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)778.67 Kbytes共12頁IPI086N10N3GXKSA1的PDF文件地址 IPI086N10N3GXKSA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
詢價型號*數(shù)量*批號封裝品牌其它要求
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