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IPI100N12S3-05
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO262-3

Packing Type：TUBE

Moisture Level：NA

RDS (on) max：5.1m?

IDpuls max：400.0A

VDS max：120.0V

ID max：100.0A

Budgetary Price ?€/1k：1.41

Ptot max：300.0W

RthJC max：0.5K/W

VGS(th) min max：2.0V 4.0V

QG (typical)：139.0nC

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖IPI100N12S3-05
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
IPI100N12S3-05OptiMOS??-T Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)411.38 Kbytes共9頁IPI100N12S3-05的PDF文件地址 IPI100N12S3-05的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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