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IPD70R900P7S
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO252-3

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：3

RDS (on) max：900.0m?

IDpuls max：12.8A

VDS max：700.0V

ID max：6.0A

Package：DPAK (TO-252)

Rth：4.1K/W

QG：6.8nC

Budgetary Price ?€/1k：0.25

Ptot max：30.5W

Polarity：N

Qgd：2.6nC

Pin Count：3.0Pins

Operating Temperature min max：-40.0°C 150.0°C

RthJA max：62.0K/W

Mounting：SMT

RthJC max：4.1K/W

VGS(th) min max：2.5V 3.5V

無鉛情況/RoHs：否

IPD70R900P7S

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPD70R900P7S	700V CoolMOS?a P7 Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	957.6 Kbytes	共13頁	產(chǎn)品購買
IPD70R900P7SAUMA1	MOSFET	Infineon Technologies	1.2 Mbytes	共13頁	產(chǎn)品購買
IPD70R900P7SAUMA1	MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3	Infineon Technologies	1.2 Mbytes	共13頁	產(chǎn)品購買
IPD70R900P7SAUMA1	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：6A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：700V 柵源極閾值電壓：3.5V @ 60uA 漏源導通電阻：900mΩ @ 1.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3500mW(Tc) 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	1.17 Mbytes	共13頁	產(chǎn)品購買