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FQI27N25
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:25.5 A

Vds-漏源極擊穿電壓:250 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:110 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.13 W

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:I2PAK-3

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:120 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:270 ns

系列:FQI27N25

典型關(guān)閉延遲時間:80 ns

典型接通延遲時間:32 ns

FQI27N25

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
FQI27N25	250V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	784.44 Kbytes	共9頁	STP8NS25,IRFM214B,FQA16N25C,FQB16N25,FQD8N25,FQPF3N25,IRFM224B,FQAF16N25C,ZVN4525E6,FQD9N25	產(chǎn)品購買
FQI27N25TU	250V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	1105.17 Kbytes	共7頁		產(chǎn)品購買
FQI27N25TU_F085	N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	500.47 Kbytes	共7頁		產(chǎn)品購買
FQI27N25TU-F085	MOSFET 250V 0.11OHM 25.5A N-CH MOSFET	ON Semiconductor / Fairchild	569.80 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
FQI27N25TU-F085	25.5A, 250V, 0.11OHM, N-CHANNEL	Fairchild Semiconductor	411.32 Kbytes	共7頁		產(chǎn)品購買
FQI27N25TU-F085	MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK	ON Semiconductor	411.32 Kbytes	共7頁		產(chǎn)品購買