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FQI19N20
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:19.4 A

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Rds On-漏源導通電阻:150 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.13 W

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:I2PAK-3

商標:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:80 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:190 ns

系列:FQI19N20

典型關閉延遲時間:55 ns

典型接通延遲時間:20 ns

介紹圖FQI19N20
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
FQI19N20200V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網723.58 Kbytes共9頁FQI19N20的PDF文件地址STD4N20,FDC2612,FQAF19N20L,FQD630,FQP5N20,FQPF4N20L,IRF630B,IRFW630B,BUZ32,IRFF210 FQI19N20的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
FQI19N20N-Channel QFET MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網808.16 Kbytes共9頁FQI19N20的PDF文件地址 FQI19N20的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
FQI19N20C200V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網876.65 Kbytes共9頁FQI19N20C的PDF文件地址STD4N20,FDC2612,FQAF19N20L,FQB5N20L,FQP4N20L,FQPF4N20,IRF620B,IRFW620B,FDD2612,FQAF34N20 FQI19N20C的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
FQI19N20L200V LOGIC N_Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網749.74 Kbytes共9頁FQI19N20L的PDF文件地址FQAF19N20L,FQPF4N20L,FQP5N20L,FQAF34N20L,FQD7N20L,FQPF5N20L,FQB7N20L,FQB10N20L,RFP2N20L,FQP10N20L FQI19N20L的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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