制造商:Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
Id-連續(xù)漏極電流:16.5 A
Vds-漏源極擊穿電壓:80 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:115 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :25 V
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:3.13 W
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:I2PAK-3
商標(biāo):Fairchild Semiconductor
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時間:25 ns
最小工作溫度:- 55 C
上升時間:60 ns
系列:FQI17N08
典型關(guān)閉延遲時間:15 ns
典型接通延遲時間:4.8 ns
FQI17N08
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FQI17N08 | 80V N-Channel MOSFET | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 614.36 Kbytes | 共9頁 | FQAF70N08,FQP24N08,HUF75545P3,FDC3512,FQAF90N08,FQP44N08,HUF75545P3,FDD3570,FQB17N08L,FQP58N08 | 產(chǎn)品購買 | |||
| FQI17N08L | 80V LOGIC N-Channel MOSFET | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 571.43 Kbytes | 共9頁 | HUFA76504DK8,FQP9N08L,FQB9N08L,FQPF17N08L,RFP15N08L,FQD17N08L,FQD9N08L,FQPF9N08L,FQP17N08L,FQAF70N08 | 產(chǎn)品購買 | |||
| FQI17N08LTU | MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK | ON Semiconductor | 571.44 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| FQI17N08TU | MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK | Fairchild Semiconductor | 614.37 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| FQI17N08TU | MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK | ON Semiconductor | 614.37 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 |
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