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制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:12 A

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:650 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:225 W

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:I2PAK-3

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:90 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:85 ns

系列:FQI12N60

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:155 ns

典型接通延遲時(shí)間:30 ns