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FQD7N30
規(guī)格信息:

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:5.5 A

Vds-漏源極擊穿電壓:300 V

Rds On-漏源導通電阻:700 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

商標:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:35 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:75 ns

系列:FQD7N30

典型關閉延遲時間:25 ns

典型接通延遲時間:13 ns

介紹圖FQD7N30
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
FQD7N30300V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)758.6 Kbytes共9頁FQD7N30的PDF文件地址FQB2N30,FQPF3N30,FQB3N30,FQPF5N30,FDA59N30,FQB5N30,FQPF9N30,FQA26N30,FQAF22N30,FQD2N30 FQD7N30的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
FQD7N30TFMOSFET N-CH 300V 5.5A DPAKON SemiconductorON Semiconductor的LOGO-天天IC網(wǎng)1.5 Mbytes共10頁FQD7N30TF的PDF文件地址 FQD7N30TF的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
FQD7N30TMMOSFET 300V N-Channel QFETON Semiconductor / FairchildON Semiconductor / Fairchild的LOGO-天天IC網(wǎng)1 Mbytes共11頁FQD7N30TM的PDF文件地址 FQD7N30TM的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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