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FQD6N60C
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:4 A

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2 Ohms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:80 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:45 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:45 ns

系列:FQD6N60

典型關(guān)閉延遲時間:45 ns

典型接通延遲時間:15 ns

FQD6N60C

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
FQD6N60C	600V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	678.75 Kbytes	共8頁	STP4NM60,FQAF19N60,FQP7N60,SSW1N60B,FCP20N60,FQP3N60C,STS1HNK60,FQB12N60,FQPF12N60,SSW2N60B	產(chǎn)品購買
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FQD6N60CTM-WS	MOSFET 600V N-Ch MOSFET QFET	ON Semiconductor / Fairchild	399.39 Kbytes	共1頁		產(chǎn)品購買
FQD6N60CTM-WS	MOSFET N-CH 600V 4A DPAK	ON Semiconductor	683.33 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買