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FQD5N20
規(guī)格信息:

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:3.8 A

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.2 Ohms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:25 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:55 ns

系列:FQD5N20

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:9 ns

典型接通延遲時(shí)間:7 ns

介紹圖FQD5N20
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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FQD5N20LTMN-Channel QFET MOSFET 200 V, 3.8 A, 1.2 FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)863.19 Kbytes共8頁(yè)FQD5N20LTM的PDF文件地址 FQD5N20LTM的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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