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FQD3P50TM
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DIE

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:500 V

Id-連續(xù)漏極電流:2.1 A

Rds On-漏源導通電阻:4.9 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:QFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:2.3 mm

長度:6.6 mm

系列:FQD3P50

晶體管類型:1 P-Channel

類型:MOSFET

寬度:6.1 mm

商標:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導 - 最小值:2.1 S

下降時間:45 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:56 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:35 ns

典型接通延遲時間:12 ns

單位重量:260.370 mg

介紹圖FQD3P50TM
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
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