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FQD7N10
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:5.8 A

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Rds On-漏源導通電阻:350 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :25 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

商標:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:19 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:24 ns

系列:FQD7N10

典型關閉延遲時間:13 ns

典型接通延遲時間:7 ns

FQD7N10

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關型號	產(chǎn)品購買
FQD7N10	100V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	595.38 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQD7N10	100V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	544.88 Kbytes	共9頁	STL35NF10,ZXMN10A08E6,FDS3612,FQA70N10,FQB44N10,FQP13N10,FQPF13N10,FQT7N10L,2N6796	產(chǎn)品購買
FQD7N10L	N-Channel QFET MOSFET 100 V, 5.8 A, 350 m	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	1180.54 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
FQD7N10L	100V LOGIC N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	549.99 Kbytes	共9頁	FQT7N10L,HUF76619D3,FQP13N10L,FQPF13N10L,HUF76629D3,HUF76633P3,HUF76639P3,FQAF33N10L,FQP19N10L,FQPF19N10L	產(chǎn)品購買
FQD7N10L	N-Channel QFET?? MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	539.37 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
FQD7N10L	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	1010.45 Kbytes	共7頁		產(chǎn)品購買
FQD7N10L_08	100V LOGIC N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	630.73 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQD7N10LTF	N-Channel QFET MOSFET 100 V, 5.8 A, 350 m	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	1180.54 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
FQD7N10LTM	N-Channel QFET?? MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	539.37 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
FQD7N10TM	100V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	595.38 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買