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FQB17N08
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:16.5 A

Vds-漏源極擊穿電壓:80 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:115 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :25 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.13 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:25 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:60 ns

系列:FQB17N08

典型關(guān)閉延遲時間:15 ns

典型接通延遲時間:4.8 ns

FQB17N08

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
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FQB17N08LTM	MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK	ON Semiconductor	571.44 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQB17N08TM	MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK	ON Semiconductor	614.37 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQB17N08TM	MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK	Fairchild Semiconductor	614.37 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買