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FQB13N06L
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:13.6 A

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:110 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:3.75 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:40 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:90 ns

系列:FQB13N06

典型關(guān)閉延遲時間:20 ns

典型接通延遲時間:8 ns

介紹圖FQB13N06L
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
FQB13N06L60V LOGIC N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)666.59 Kbytes共9頁FQB13N06L的PDF文件地址HUF76409D3,HUFA76439P3,HUF76423P3,RFL2N06L,FQP20N06L,FQPF20N06L,HUF76409P3,HUFA76407DK8,HUFA76443P3,HUF76429D3 FQB13N06L的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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