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制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:67 A

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:10 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :25 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:100 W

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-3P-3

封裝:Tube

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:170 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值:50 S

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:230 ns

系列:FQAF85N06

工廠包裝數(shù)量:30

典型關(guān)閉延遲時間:175 ns

典型接通延遲時間:40 ns

單位重量:5.599 mg